技术保障：

DuraSiC^®是蓉矽半导体的高可靠性车规级产品系列，严格按照 NovuSuperior (AEC-Q101+)标准考核验证：在晶圆测试阶段，通过WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in)系统筛除栅氧化层于产品生命周期中的潜在退化/失效，提高筛选后器件的栅氧可靠性及使用寿命；封装成品通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。

产品亮点：

1200V/40mΩ DuraSiC^® MOSFET在20V驱动电压下，导通电阻为40mΩ，可兼容18V驱动电压，导通电阻为43mΩ； V_DD=800V时，短路耐受时间>3μs，TO-247-4L 下测试开启损耗为635μJ；最大可持续电流为75A。

应用领域：OBC、直流充电桩模块、光伏逆变器、储能变流器等领域