产品介绍：1200V/20A NovuSiC^® EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)具备PiN和SBD的复合结构，在不增加工艺复杂度的同时，赋予其可媲美MPS (Merged PiN Schottky) 结构的11倍以上的高抗浪涌电流能力。

NovuSiC^®系列严格按照NovuStandard（工规级）标准进行考核验证，能够为光伏、直流快充等领域带来可靠性要求更高、成本更优的解决方案。

产品亮点：高抗浪涌电流能力（11倍）；低反向漏电（5μA）；低正向导通压降；零反向恢复电流；最高工作结温为175℃。

应用场景示例：

（1）1100V光伏系统Boost PFC应用场景：在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC^® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。

（2）20kW充电桩Vienna整流应用场景：在相同应用条件下，NovuSiC^®EJBS™可提升1.05%的系统效率，降低91%的开关损耗和50%的总损耗。