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NovuSiC® EJBS™
NovuSiC®是蓉矽半导体的高性价比产品系列,该系列严格按照NovuStandard(工规级)标准考核验证。


产品介绍:1200V/20A NovuSiC® EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)具备PiN和SBD的复合结构,在不增加工艺复杂度的同时,赋予其可媲美MPS (Merged PiN Schottky) 结构的11倍以上的高抗浪涌电流能力。

NovuSiC®系列严格按照NovuStandard(工规级)标准进行考核验证,能够为光伏、直流快充等领域带来可靠性要求更高、成本更优的解决方案。

产品亮点:高抗浪涌电流能力(11倍);低反向漏电(5μA);低正向导通压降;零反向恢复电流;最高工作结温为175℃。

应用场景示例

(1)1100V光伏系统Boost PFC应用场景:在11kW光伏逆变器应用中,相较FRD, NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗,分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。

(2)20kW充电桩Vienna整流应用场景:在相同应用条件下,NovuSiC®EJBS™可提升1.05%的系统效率,降低91%的开关损耗和50%的总损耗。


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