传统的JBS用P型注入格栅对肖特基接触进行电场削弱，以此来降低肖特基接触在阻断状态下的漏电流。但是由于JBS表面为肖特基接触，金属与P型格栅形成了反向偏置的势垒层，因此P型格栅和N型衬底之间无法形成PIN二极管。
但是EJBS采用更加优化的RTA以及P型格栅设计，使得EJBS的PIN二极管可以在更低的电压下导通。这样带来的好处是EJBS在承受浪涌电流时可以及时地进入双极导通状态，降低浪涌电流产生的热累积。
通常情况下，传统JBS IFSM@(10ms, half sine)仅能到达7倍左右，但是EJBS能够大于10倍。
蓉矽半导体NovuSiC®碳化硅MOSFET G1&G2是平面结构，并将在此基础上推出单片集成的碳化硅MOSFET产品，以改善其体二极管特性。
另外，蓉矽半导体已经拥有沟槽结构MOSFET的国内与国际授权专利，具备沟槽型MOSFET设计开发能力。
蓉矽半导体初代G1平面型产品的Ron,sp为4.2mΩ·cm2，Qgd=22nC，电性能已经达到国际先进水平。按照技术发展路径，第二代G2的性能将会超越当前国际标准。
在此基础上，蓉矽半导体拥有定制化能力，可以针对客户应用需求进行特定规格的开发。
蓉矽半导体碳化硅二极管首次流片良率即达97%，碳化硅MOSFET首次流片良率为91.2%，均为一次流片成功。这在半导体行业是非常高的荣誉，也赢得了供应商的高度认可。
其次，蓉矽半导体非常重视供应链资源整合，与衬底、外延及fab厂商均建立了战略合作伙伴关系与技术合作开发，可以确保供应商的优先支持和稳定供货。
从材料到客户，我们将每一环节都集成在完整的流程链条中，确保自下而上和自上而下两种方向的信息均能高效流通和互联，对整个供应链系统进行协调、操作、控制、优化。
