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公司简介

成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年,是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业。

蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队,整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台,结合大陆封测和应用解决方案,建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链,独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET;硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®(MOS-Controlled Rectifier)及FRMOS(Fast Recovery MOSFET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。




23
知识产权
18
发明
5
实用新型专利
2
PCT
发展历程
2019.12
蓉矽半导体成立
设立于成都市高新区外资SPT功率半导体孵化器
2019.12
2020.11
SiC二极管开发成功
1200V/20A EJBS™ 碳化硅二极管首次工程流片即达97%良率
2020.11
2021.01
硅基MCR科技成果转化
电子科大功率集成技术实验室专利突破性硅基理想二极管
2021.01
2021.03
天使轮融资完成
进行MCR产品优化及SiC产品量产
2021.03
2021.05
SiC MOSFET(G1)开发成功
1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率
2021.05
2021.10
SiC MOSFET(G1) 量产
SiC MOSFET(G1) 1200V/75mΩ 正式量产
2021.10
2021.12
订单金额达300万
硅基MCR®订单金额达300万
2021.12
2022.01
SiC二极管(G1)量产
1200V/20A EJBS™二极管正式量产
2022.01
2022.06
举办“芯见未来”产品发布会
发布自主开发的NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列产品
2022.06
2022.08
顺利完成Pre-A轮融资
敬请关注9月27日线上新品发布会
2022.08
2022.09
线上新品发布会成功举办
蓉矽半导体第一代碳化硅MOSFET正式发布
2022.09
质量管理体系

蓉矽半导体从设计、晶圆制造到封测,建立IATF16949供应链体系,严控产业链。

在全国范围内率先投资引入国际先进WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统,确保碳化硅晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准。

蓉矽出品的产品均严格执行AEC-Q101标准,并在此基础上创造性地提出了公司内部的AEC-Q101+标准,称之为 NovuStandard