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NovuSiC® MOSFET
NovuSiC® 是蓉矽半导体的高性价比产品系列,该系列严格按照AEC-Q101标准考核验证。

产品介绍:1200 V/75 mΩ NovuSiC® MOSFET阈值电压典型值为2.5V,导通电阻典型值为62mΩ,Ron,sp为3.85mΩcm²,可在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗,高频应用环境下,能够大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器体积,提高系统整体功率密度,降低系统总成本。

产品亮点:零反向恢复电流、低开关损耗、短路耐受时间>3µs、高雪崩耐量、最高工作结温为175℃ 。

应用领域: 光伏 风电 汽车电子 工业电源 储能系统



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