NovuSiC® MOSFET
NovuSiC® 是蓉矽半导体的高性价比产品系列，该系列严格按照AEC-Q101标准考核验证。
产品介绍：1200 V/75 mΩ NovuSiC® MOSFET阈值电压典型值为2.5V，导通电阻典型值为62mΩ，Ron,sp为3.85mΩcm²，可在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗，高频应用环境下，能够大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器体积，提高系统整体功率密度，降低系统总成本。
产品亮点：零反向恢复电流、低开关损耗、短路耐受时间>3µs、高雪崩耐量、最高工作结温为175℃ 。
应用领域： 光伏 风电 汽车电子 工业电源 储能系统
