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NovuSiC® EJBS™
NovuSiC®是蓉矽半导体的高性价比产品系列,该系列严格按照AEC-Q101标准考核验证。

产品介绍:1200V、20V NovuSiC® EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)具备PiN和SBD的复合结构,在不增加工艺复杂度的同时,赋予其可媲美MPS (Merged PiN Schottky) 结构的11倍以上的高抗浪涌电流能力。NovuSiC®系列严格按照NovuStandard (AEC-Q101+)标准进行考核验证,满足工业级以上可靠性要求,能够为光伏、直流快充等领域带来可靠性要求更高、成本更优的解决方案。

产品亮点:高抗浪涌电流能力(11倍);低反向漏电(2μA);低正向导通压降;零反向恢复电流;最高工作结温为175℃。

应用场景示例

(1)1100V光伏系统Boost PFC应用场景:在相同应用条件下, NovuSiC® EJBS™可提升0.8%的系统效率,分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升,大幅提高整体功率密度。

(2)20KW充电桩Vienna整流应用场景:在相同应用条件下,NovuSiC®EJBS™可提升1.05%的系统效率,降低91%的开关损耗和50%的总损耗。



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