蓉矽半导体碳化硅肖特基二极管（SiC SCHOTTKY DIODE）持续推出，产品覆盖从2A~60A，650V~2000V的应用范围，具有多种封装形式。

产品特点：

· 低导通压降(VF) · 低反向漏电(IR)
· 零反向恢复电流 · 更高的抗浪涌能力
· 175℃的最高工作结温

蓉矽半导体碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）将覆盖从20mΩ~160mΩ，650V~2000V的应用范围，具有多种封装形式。 得益于SiC材料的先天优势，在大幅度降低静态损耗的同时，发挥出单极型器件低动态损耗的优势。应用在更高频的环境时，大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，提高系统整体功率密度，降低成本。

产品特点：

· 低开关损耗 · 175℃最高工作结温
· 高短路耐受时间 · 高雪崩耐量