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二极管 Si/SiC

蓉矽半导体碳化硅肖特基二极管(SiC SCHOTTKY DIODE)持续推出,产品覆盖从2A~60A,650V~2000V的应用范围,具有多种封装形式。

产品特点:

· 低导通压降(VF) · 低反向漏电(IR)
· 零反向恢复电流 · 更高的抗浪涌能力
· 175℃的最高工作结温

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MOSFET Si/SiC

蓉矽半导体碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)将覆盖从20mΩ~160mΩ,650V~2000V的应用范围,具有多种封装形式。 得益于SiC材料的先天优势,在大幅度降低静态损耗的同时,发挥出单极型器件低动态损耗的优势。应用在更高频的环境时,大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸,提高系统整体功率密度,降低成本。

产品特点:

· 低开关损耗 · 175℃最高工作结温
· 高短路耐受时间 · 高雪崩耐量

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