EN / 中
1
询 价
1
样 品
销售:18208287494
批量询价
获取样品

序号
数量
请添加询价产品或样品

企业名称

公司邮件

公司地址

姓 名

电话号码

说明:提交后,24h内会有专员致电联系您。

提交
公司简介

成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 是四川首家专注于第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业,致力于开发世界一流水平的车规级碳化硅器件,提供配套应用解决方案,力争实现进口替代的目标。


蓉矽拥有一支由中国大陆、中国台湾、日本以及欧洲碳化硅核心技术人才组成的国际化团队,以车规级碳化硅功率半导体设计开发为主,产品均为自主独立设计且拥有自主知识产权。目前,公司建立了从原材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF16949质量管理标准的完整供应链。


产品涵盖碳化硅单管、模组系列和nA级超低漏电的理想二极管MCR®(MOS-Controlled Rectifiers)。其中NovuSiC® /DuraSiC® 系列的1200V二极管与1200V SiC MOSFET已进入量产,并完成超国际考核标准验证(NovuStandard - AEC-Q1O1+),性能达国际先进水平,广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。


发展历程
2019.12.2
蓉矽半导体成立
设立于成都市高新区外资SPT功率半导体孵化器
2019.12.2
2020.11
SiC二极管开发成功
1200V20A MPS SiC二极管第一次工程流片即达97%良率
2020.11
2021.1
硅基MCR科技成果转化
电子科大功率集成技术实验室专利突破性硅基理想二极管
2021.1
2021.3
天使轮融资完成
进行MCR产品优化及SiC产品量产
2021.3
2021.5
SiC MOSFET(G1)开发成功
1200V 80mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率
2021.5
2021.10
SiC MOSFET(G1) 量产
SiC MOSFET(G1) 1200V 80mΩ 正式量产
2021.10
质量管理体系

蓉矽半导体从设计、晶圆制造到封测,在IATF16949管理体系下,严控产业链。

公司在全国领先同业投资数百万美金率先引入国际先进WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统,确保碳化硅晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准。

蓉矽出品的产品都严格的执行AEC-Q101标准,并在此基础上创造性的提出了公司内部的AEC-Q101+标准,称之为 NovuStandard