关于蓉矽

公司简介

成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。

蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC^{^®}”和高可靠性的“DuraSiC^{^®}”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR^{^®}（MOS-Controlled Rectifier）及FRMOS（Fast Recovery MOSFET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。

23项

知识产权

18项

发明

5项

实用新型专利

3项

PCT

发展历程

2023.11

四川省专精特新中小企业认定

蓉矽半导体顺利通过2023年度四川省专精特新中小企业认定

2023.11

2023.09

NEPCON Japan 2023日本国际电子展

蓉矽半导体携明星产品亮相NEPCON Japan 2023 日本国际电子展，加速拓展海外市场

2023.09

2023.05

WLTBI系统启动仪式

蓉矽半导体WLTBI系统启动仪式在成都总部进行，切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性

2023.05

2023.04

1200V 12mΩ NovuSiC^® MOSFET

蓉矽半导体1200V 12mΩ NovuSiC^® MOSFET量产

2023.04

2023.03

通过ISO三大体系认证

蓉矽半导体顺利通过德国莱茵TÜV集团ISO“质量、环境、健康”三大体系认证

2023.03

2023.02

与台湾汉磊科技成为长期战略合作伙伴

汉磊科技将蓉矽半导体代工产品优先级列为第一等级

2023.02

2022.11

高新技术企业认定

蓉矽半导体顺利获批四川省2022年第一批高新技术企业

2022.11

2022.09

线上新品发布会成功举办

蓉矽半导体第一代碳化硅MOSFET正式发布

2022.09

2022.08

顺利完成Pre-A轮融资

敬请关注9月27日线上新品发布会

2022.08

2022.06

举办“芯见未来”产品发布会

发布自主开发的NovuSiC^® EJBS™和理想硅基MCR^®二极管系列产品

2022.06

2022.01

SiC二极管（G1）量产

1200V/20A EJBS™二极管正式量产

2022.01

2021.12

订单金额达300万

硅基MCR^®订单金额达300万

2021.12

2021.10

SiC MOSFET（G1) 量产

SiC MOSFET（G1) 1200V/75mΩ 正式量产

2021.10

2021.05

SiC MOSFET(G1)开发成功

1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率

2021.05

2021.03

天使轮融资完成

进行MCR产品优化及SiC产品量产

2021.03

2021.01

硅基MCR科技成果转化

电子科大功率集成技术实验室专利突破性硅基理想二极管

2021.01

2020.11

SiC二极管(G1)开发成功

1200V/20A EJBS™ SiC二极管首次工程流片即达97%良率

2020.11

2019.12

蓉矽半导体成立

设立于成都市高新区外资矽能科技功率半导体孵化器

2019.12

质量管理体系

蓉矽半导体拥有ISO 9001质量管理体系认证，建立了IATF 16949供应链体系，严控产业链。

在全国范围内率先投资引入国际先进WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，确保碳化硅晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准。

蓉矽出品的产品均严格执行AEC-Q101标准，并在此基础上创造性地提出了公司内部的AEC-Q101+标准，称之为 NovuSuperior。