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DuraSiC® MOSFET
DuraSiC®是蓉矽半导体的高可靠性车规级产品系列,严格按照 NovuSuperior (AEC-Q101+)标准考核验证。

技术保障

DuraSiC®是蓉矽半导体的高可靠性车规级产品系列,严格按照 NovuSuperior (AEC-Q101+)标准考核验证:在晶圆测试阶段,通过WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in)系统筛除栅氧化层于产品生命周期中的潜在退化/失效,提高筛选后器件的栅氧可靠性及使用寿命;封装成品通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。

产品亮点

1200V/40mΩ DuraSiC® MOSFET在20V驱动电压下,导通电阻为40mΩ,可兼容18V驱动电压,导通电阻为43mΩ; VDD=800V时,短路耐受时间>3μs,TO-247-4L 下测试开启损耗为635μJ;最大可持续电流为75A。

应用领域:OBC、直流充电桩模块、光伏逆变器、储能变流器等领域




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