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蓉矽半导体高巍博士接受IIC Talks专访
[ 来源:蓉矽半导体  时间:2023-04-17  阅读:1912次 ]

IIC Shanghai 2023于3月29-30日在上海国际会议中心举行,为中国半导体产业链上下游搭建了一个高效交流的互动平台。

蓉矽半导体副总裁、研发中心总经理高巍博士接受了IIC Talks专访,阐释蓉矽半导体的核心竞争力、SiC MOSFET的关键突破,分享蓉矽半导体的可靠性保障措施,以及他对特斯拉宣布削减SiC用量原因及市场影响的看法。


仲夏良辰丨端午浓情 /attachment/images/2022/06/03/image_1654229477_NgJOdxy0.png 蓉矽半导体祝您端午安康! 2022-06-03 蓉矽半导体SiC场效应管荣获2023中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件! /attachment/images/2023/03/31/image_1680246520_H68843Ne.jpg 蓉矽半导体自主设计研发的1200V/75mΩ碳化硅场效应管荣获2023中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件/宽禁带器件奖项! 2023-03-31 荣获双奖,创新不止!蓉矽半导体第二代车规级SiC MOSFET正式发布 /attachment/images/2024/06/25/image_1719295568_W3rvj2NJ.png 蓉矽半导体正式发布第二代1200V SiC MOSFET产品 2024-06-25 蓉矽半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证 /attachment/images/2024/06/25/image_1719295971_xc9bJCCe.png 蓉矽半导体本次AEC-Q101车规级可靠性考核和HV-H3TRB加严可靠性考核由第三方权威检测机构——广电计量进行。 2024-06-25 自主研发,创新突围 | 蓉矽半导体荣获“2023年度最佳功率器件奖”! /attachment/images/2023/11/01/image_1698832240_ShbZH7KK.jpg 蓉矽半导体自主设计、研发的1200V/40mΩ碳化硅场效应管- NE1M120C40HT 荣获“2023年度最佳功率器件”奖项! 2023-11-01