自1200V 75mΩ/40mΩ NovuSiC^® MOSFET量产后，蓉矽半导体再接再厉，1200V 12mΩ SiC MOSFET这一国内最低导通电阻产品开始量产，首批次量产平均良率高达80%，满足车规主驱芯片的高可靠性要求，为高质量国产替代提供了坚实保障。

自成立之初，蓉矽半导体就一直坚守正向研发路径，每款产品都来自实际市场应用需求。在应用端客户关心的驱动电压上，同时推出了15V驱动与20V驱动两种SiC MOSFET产品，从产品设计端开始就着力解决客户所需。

在封装型号上，蓉矽半导体推出了TO-247-4L、TO-247-3L以及TO-263-7L等多种封装形式。全系列产品均采用环保物料，完成了RoHS、REACH认证，获取了SGS报告，全面满足光伏、风电、汽车电子、工业电源和储能等领域的应用需求。

作为一家专注碳化硅功率半导体器件设计的公司，蓉矽半导体经过三年的努力，完成了从材料、晶圆到封测的全工艺链整合。自今年起，蓉矽半导体全SiC系列产品实现了稳定的保质保供，为客户方案导入、批量生产提供了强有力的支持。                                             

关于蓉矽半导体

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC^®”和高可靠性“DuraSiC^®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR^®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。

蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。