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朗報| 蓉矽半導体と台湾漢磊科技は長期戦略的な協力協定に署名
[ 出典:蓉矽半导体  更新時間:2023-02-24  閲覧数:1731 ]

最近、成都蓉矽半导体有限会社(以下「蓉矽半導体」)および台湾漢磊科技有限会社(以下「漢磊科技」)は、長期戦略的な協力協定に署名し、さらにSiC製造の協力関係を深めます。

協定により、漢磊科技はSiCプロセスプラットフォームを公開し、蓉矽半導体からのOEM製作依頼を最優先に します。 これで、蓉矽半導体サプライチェーンの保障が強化され、SiCパワーデバイスの急速な発展が促進され、日増しに生長する市場ニーズを満たし、お客様により多くの価値を生み出せます。

漢磊科技について 

漢磊科技は、1985年に中国台湾の新竹科学園区に設立され、世界初のLinear Bipolar ICプロファウンドリで、GaNとSiC のプロファウンドリサービス能力を備え、 4/5インチウェーハ工場一箇所と6インチウェーハ工場二箇所を持ちます。その中に、4インチは1000枚 、5インチは800枚0、6インチはそれぞれ17,000枚と33000枚を毎月生産できます。 SBD/JBSのプラットフォーム良品率は95%を超え、SiC製品は非常に競争力があります。

蓉矽半導体について

2019年に設立された蓉矽半導体は、四川省初のワイドバンドギャップ半導体SiCパワーデバイスの設計と開発に専念しているハイテクノロジー企業です。IATF 16949品質管理システムを基準に、原材料から、エピタキシー、ウェーハ製造、パッケージング組立まで完全的なサプライチェーンを構築し、コスパが高い「NovuSiC」シリーズと高信頼性の「DuraSiC」シリーズ製品を提供しています。 SiCダイオードEJBS™(Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)、SiC MOSFET、Si FR MOS(Fast Recovery MOS)および最大動作温度175℃のSi ダイオードMCR(MOS-Controlled Rectifier)などの製品を製作し、太陽光発電、エネルギーストレージ、EV充電器、OBCおよび新エネルギー車などの分野で大幅に応用されます。

新製品発表丨「Power for the Future」—蓉矽SiC新製品発表会は円満に終了 /attachment/images/2022/07/04/image_1656903128_cK1DODYk.jpg 6月30日、蓉矽半導体有限会社(以下、「蓉矽」)は「オフライン発表会+オンライン同時ライブ中継」で、「Power for the Future」製品発表会を開催し、自主開発したNovuSiC® EJBS™およびSI理想MCR®ダイオードシリーズを発表し、同社の独立自主研究開発能力と製品実力を十分に示しました。 2022-07-04 力を蓄えて加速ランニング 蓉矽半導体 NovuSiC® MOSFETを正式にリリース /attachment/images/2022/09/28/image_1664337083_v3qfkfiQ.jpg 9月27日、成都蓉矽半導体有限会社(以下「蓉矽半導体」)はオンライン新製品発表会を行い、第1世代のSiC NovuSiC® MOSFET G1を発表し、第2世代G2の量産スケジュールを予告しました。 2022-09-28 朗報| 蓉矽半導体と台湾漢磊科技は長期戦略的な協力協定に署名 /attachment/images/2023/02/24/image_1677220971_yveYXqIu.jpg 最近、成都蓉矽半导体有限会社(以下「蓉矽半導体」)および台湾漢磊科技有限会社(以下「漢磊科技」)は、長期戦略的な協力協定に署名し、さらにSiC製造の協力関係を深めます。 2023-02-24 朗報|蓉矽半導体がハイテック企業認定を取得! /attachment/images/2022/12/09/image_1670554454_oMqjEQTJ.jpg 2022年蓉矽半導体は四川省ハイテック企業認定を取得し、これは栄誉であり、進歩のエンジンでもあります。 2022-12-09 蓉矽半導体は順調にPre-Aラウンド投資を獲得 /attachment/images/2022/08/18/image_1660787715_n2E5CxbB.jpg 2022年8月、四川省初のワイドバンドギャップ半導体SiCパワーデバイスの設計と開発に専念したハイテク企業、成都蓉矽半導体有限会社(以下「蓉矽半導体」)は順調にPre-Aラウンド投資を獲得しました。 2022-08-18