製品情報：DuraSiC^®MOSFET閾値電圧の典型値は2.5 Vで、オン抵抗の典型値は62 mΩで、Ron、spは3.85 mΩ.cm²です。静的損失を大幅に低減すると同時に、動的損失を低減することができ、高い周波数の環境に応用でき、それによって周辺回路インダクタンス、コンデンサ、フィルタと変圧器のサイズを大幅に削減でき、システム全体の電力密度を高め、システム総コストを低減することができます。

製品ハイライト：

▪ ゼロ逆回復電流

▪ 低スイッチング損失

▪ 短絡耐性時間>3µs

▪ 高アバランシェ耐量

▪ 175℃の高動作温度

应用分野：太陽光発電　風力発電　カーエレクトロニクス　産業用電源　エネルギーストレージシステム